SiC 晶圆加工关键技术研发与产业化

◆成果简介：该项目针对第三代半导体SiC晶圆高精密加工市场需求和“卡脖子“技术， 研发高端切、磨、抛技术及工具，解决行业发展中卡脖子和瓶颈问题。 形成了加工SiC晶圆的超硬材料切、磨、抛系列技术成果，技术水平达 到国际先进水平，加工SiC晶圆厚度偏差TTV≤2μm, 表面粗糙度Ra≤

0.2nm, 解决专用金刚石合成中的制约技术问题，包括人工合成叶腊 石的高温密封、传压性能和性价比能满足生产要求，项目化经济、社 会效益显著。

◆应用前景：碳化硅晶圆制造关键技术目前被美国、日本等国家控制，我国急需开 展制造技术和装备的研发，占领新一代芯片制造的制高点。十年内第 三代半导体国际市场需求将达到万亿元规模，该项目的实施将打破国 外的技术“卡脖子“问题，具有非常广阔的市场应用空间。